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本公司是以模數(shù)多波束相控陣毫米波射頻集成電路芯片設(shè)計(jì)為核心, 
服務(wù)于5G/6G通信等領(lǐng)域, 

聚焦行業(yè)AIOT邊緣物聯(lián)網(wǎng)場(chǎng)景智能化,融入產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)生態(tài), 
致力于為未來(lái)通信與安全提供最具競(jìng)爭(zhēng)力的射頻前端。 

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 射頻集成電路芯片
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 工業(yè)型5G CPE產(chǎn)品 RXT-1000
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 邊緣物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品
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碳化硅市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)漸入白熱化,這家國(guó)際大廠產(chǎn)能擴(kuò)大近3倍

碳化硅市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)漸入白熱化,這家國(guó)際大廠產(chǎn)能擴(kuò)大近3倍

當(dāng)前,憑借高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨(dú)特優(yōu)勢(shì),碳化硅功率器件已經(jīng)成為新能源汽車(chē)、5G通訊、軌道交通、智能電網(wǎng)等市場(chǎng)新的增長(zhǎng)點(diǎn)。 據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體研究處預(yù)測(cè),2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)22.8億美元,年成長(zhǎng)41.4%。與此同時(shí),受惠于下游應(yīng)用市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求,預(yù)期至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模可望達(dá)53.3億美元。 當(dāng)前,全球碳化硅市場(chǎng)主要被國(guó)外廠商所占據(jù),尤其是面對(duì)巨大的市場(chǎng)前景,STM、Infineon、Wolfspeed、ROHM、Onsemi等一眾國(guó)際半導(dǎo)體廠商都紛紛加碼擴(kuò)產(chǎn)。而近期,除了安森美半導(dǎo)體考慮投資20億美元擴(kuò)產(chǎn)碳化硅芯片外,SK集團(tuán)也宣布其釜山新工廠正式量產(chǎn)SiC,產(chǎn)能擴(kuò)大近3倍。 5月16日,SK集團(tuán)宣布,SK powertech位于釜山的新工廠結(jié)束試運(yùn)行,將正式投入批量生產(chǎn)。 這意味著SK集團(tuán)的SiC(碳化硅)半導(dǎo)體產(chǎn)能將擴(kuò)大近3倍,預(yù)計(jì)2026年SK powertech銷(xiāo)售額增長(zhǎng)將超過(guò)5000億韓元(約合3.74億美元)。 資料顯示,SK集團(tuán)是目前韓國(guó)首家擁有SiC全產(chǎn)業(yè)鏈的廠商,而旗下SK powertech則是全球SiC(碳化硅)電力半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、生產(chǎn)領(lǐng)域的知名企業(yè)。 去年5月,SK集團(tuán)宣布,未來(lái)五年將投資247萬(wàn)億韓元(相當(dāng)于1976億美元)在半導(dǎo)體、電池以及生物制藥領(lǐng)域進(jìn)行投資,其中的179萬(wàn)億韓元將在韓國(guó)本土投資以協(xié)助韓國(guó)本土振興經(jīng)濟(jì)。 據(jù)“SK中國(guó)”介紹,SK powertech釜山新工廠計(jì)劃到2023年第四季度,工廠開(kāi)工率將提升至100%,屆時(shí)新工廠將具備年產(chǎn)29000張(150mm/6英寸晶片標(biāo)準(zhǔn))規(guī)模的SiC電力半導(dǎo)體生產(chǎn)能力,比目前的約10000張?zhí)嵘?倍。 ?
發(fā)布時(shí)間: : 2023-05-19 瀏覽量 : 0
2022年國(guó)內(nèi)十大科技新聞:清華大學(xué)集成電路學(xué)院研究成果入選

2022年國(guó)內(nèi)十大科技新聞:清華大學(xué)集成電路學(xué)院研究成果入選

近日,由科技日?qǐng)?bào)社主辦、部分兩院院士和媒體人士共同評(píng)選出的2022年國(guó)內(nèi)十大科技新聞揭曉,清華團(tuán)隊(duì)首次制成柵極長(zhǎng)度最小的晶體管入選2022年國(guó)內(nèi)十大科技新聞。 △亞1納米柵長(zhǎng)晶體管結(jié)構(gòu)示意圖 人類又向摩爾定律的極限發(fā)起挑戰(zhàn)。這一次,中國(guó)人扮演了探索者的角色。清華大學(xué)集成電路學(xué)院團(tuán)隊(duì)首次制備出亞1納米柵極長(zhǎng)度的晶體管,該晶體管具有良好的電學(xué)性能。相關(guān)成果在線發(fā)表在3月15日的《自然》雜志上。 過(guò)去幾十年,晶體管的柵極尺寸不斷微縮。隨著尺寸進(jìn)入納米尺度,電子遷移率降低、靜態(tài)功耗增大等效應(yīng)越發(fā)嚴(yán)重。新結(jié)構(gòu)和新材料的開(kāi)發(fā)迫在眉睫。目前主流工業(yè)界晶體管的柵極尺寸在12納米以上。為進(jìn)一步突破1納米以下柵長(zhǎng)晶體管的瓶頸,研究團(tuán)隊(duì)巧妙利用石墨烯薄膜超薄的單原子層厚度和優(yōu)異的導(dǎo)電性能作為柵極,通過(guò)石墨烯側(cè)向電場(chǎng)來(lái)控制垂直的二硫化鉬(MoS_2)溝道的開(kāi)關(guān),從而實(shí)現(xiàn)等效的物理柵長(zhǎng)為0.34納米。 △隨著摩爾定律的發(fā)展,晶體管柵長(zhǎng)逐步微縮,本研究實(shí)現(xiàn)了亞1納米柵長(zhǎng)的晶體管 團(tuán)隊(duì)通過(guò)在石墨烯表面沉積金屬鋁并自然氧化的方式,完成了對(duì)石墨烯垂直方向電場(chǎng)的屏蔽。再使用原子層沉積的二氧化鉿作為柵極介質(zhì)、化學(xué)氣相沉積的單層二維二硫化鉬薄膜作為溝道。具體器件結(jié)構(gòu)、工藝流程、完成實(shí)物圖如下所示: △亞1納米柵長(zhǎng)晶體管器件工藝流程、示意圖、表征圖以及實(shí)物圖 研究發(fā)現(xiàn),由于單層二維二硫化鉬薄膜相較于體硅材料具有更大的有效電子質(zhì)量和更低的介電常數(shù),在超窄亞1納米物理柵長(zhǎng)控制下,晶體管能有效的開(kāi)啟、關(guān)閉,其關(guān)態(tài)電流在pA量級(jí),開(kāi)關(guān)比可達(dá)105,亞閾值擺幅約117mV/dec。大量、多組實(shí)驗(yàn)測(cè)試數(shù)據(jù)結(jié)果也驗(yàn)證了該結(jié)構(gòu)下的大規(guī)模應(yīng)用潛力。基于工藝計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)(TCAD)的仿真結(jié)果進(jìn)一步表明了石墨烯邊緣電場(chǎng)對(duì)垂直二硫化鉬溝道的有效調(diào)控,預(yù)測(cè)了在同時(shí)縮短溝道長(zhǎng)度條件下,晶體管的電學(xué)性能情況。這項(xiàng)工作推動(dòng)了摩爾定律進(jìn)一步發(fā)展到亞1納米級(jí)別,同時(shí)為二維薄膜在未來(lái)集成電路的應(yīng)用提供了參考依據(jù)。 △統(tǒng)計(jì)目前工業(yè)界和學(xué)術(shù)界晶體管柵極長(zhǎng)度微縮的發(fā)展情況,本研究率先達(dá)到了亞1納米 紐約州立大學(xué)布法羅分校納米電子學(xué)家李華民對(duì)此評(píng)價(jià)道:這項(xiàng)新工作將柵極的尺寸極限進(jìn)一步縮小到僅一層碳原子的厚度,在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi),要打破這一紀(jì)錄是非常困難的。 單層石墨烯厚度僅0.34納米,本身是平面結(jié)構(gòu),這就要求溝道是垂直結(jié)構(gòu),這是一大難題。另外石墨烯除了側(cè)壁能夠柵控,其表面也能柵控,因此屏蔽石墨烯表面電場(chǎng)也是難點(diǎn),中國(guó)團(tuán)隊(duì)使用自氧化鋁層來(lái)完成這一點(diǎn)。 二維薄膜的未來(lái)集成電路將會(huì)帶來(lái)柔軟、透明、高密度的芯片。如果使用新材料,就有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)全柔性的手機(jī)——其CPU、存儲(chǔ)器都是軟的,而且更加節(jié)能。 『本文轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò),版權(quán)歸原作者所有,如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除』
發(fā)布時(shí)間: : 2023-02-16 瀏覽量 : 0
臺(tái)版“芯片法案”將出臺(tái)引島內(nèi)熱議,臺(tái)積電等回應(yīng)

臺(tái)版“芯片法案”將出臺(tái)引島內(nèi)熱議,臺(tái)積電等回應(yīng)

[環(huán)球時(shí)報(bào)特約記者 陳立非]為確保臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球的領(lǐng)先地位,臺(tái)“行政院”17日通過(guò)被稱為“臺(tái)版芯片法”的“產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新條例”修正草案,之后將送“立法院”審議。臺(tái)媒稱,未來(lái)臺(tái)積電、聯(lián)發(fā)科等半導(dǎo)體大廠都有機(jī)會(huì)適用。   修正草案明定,在島內(nèi)進(jìn)行前瞻技術(shù)創(chuàng)新、且居國(guó)際供應(yīng)鏈關(guān)鍵地位的公司,符合“適用資格條件者”,其在前瞻創(chuàng)新研究發(fā)展的25%支出可抵減當(dāng)年度應(yīng)納營(yíng)利事業(yè)所得稅額,購(gòu)置先進(jìn)設(shè)備的5%支出抵減當(dāng)年度營(yíng)利事業(yè)所得稅額,且無(wú)投資抵減支出金額上限。不過(guò),單項(xiàng)投資抵減總額不得超過(guò)當(dāng)年度納稅額的30%,兩項(xiàng)同時(shí)申請(qǐng)則以稅額的50%為限。   臺(tái)灣《聯(lián)合報(bào)》舉例稱,假設(shè)一家公司2023年度前瞻創(chuàng)新研發(fā)支出為100億元(新臺(tái)幣,下同)、投資先進(jìn)制程機(jī)器設(shè)備150億元,抵減前應(yīng)納稅額為60億元。如果該公司符合規(guī)定,則研發(fā)支出100億元中,雖然可享25%優(yōu)惠,但因?yàn)楣緫?yīng)納營(yíng)業(yè)所得稅的30%,也就是最高只有18億元可計(jì)入抵減,因此研發(fā)項(xiàng)目享有18億元的抵減優(yōu)惠。另外,在設(shè)備支出的150億元中,以機(jī)器設(shè)備投抵5%的租稅優(yōu)惠為7.5億元。也就是說(shuō),該公司前瞻創(chuàng)新研發(fā)支出加上機(jī)器設(shè)備支出兩項(xiàng),2023年度可享有投資抵減25.5億元(18億元+7.5億元)。   針對(duì)此消息,臺(tái)積電稱會(huì)持續(xù)投資臺(tái)灣,對(duì)此法案樂(lè)觀其成。日月光集團(tuán)旗下日月光半導(dǎo)體執(zhí)行長(zhǎng)吳田玉也稱,未來(lái)十年,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大環(huán)境會(huì)有更大的挑戰(zhàn),產(chǎn)業(yè)在全球高額補(bǔ)助及多重管制之下,競(jìng)爭(zhēng)將更為艱難。此次“產(chǎn)創(chuàng)條例”的修法,業(yè)界樂(lè)觀其成,實(shí)質(zhì)影響有待法規(guī)細(xì)節(jié)及配套措施。力積電董事長(zhǎng)黃崇仁則在采訪中表示,當(dāng)局通過(guò)設(shè)備投資抵減,照顧臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的美意,他給予肯定并樂(lè)觀其成,但硬冠上“前瞻研發(fā)”及“先進(jìn)制程設(shè)備”,似乎只想針對(duì)臺(tái)積電或少數(shù)設(shè)備商提供補(bǔ)助。   臺(tái)灣《中國(guó)時(shí)報(bào)》17日引用分析師的話稱,當(dāng)局推出相關(guān)補(bǔ)助政策,有利島內(nèi)半導(dǎo)體廠商的競(jìng)爭(zhēng)力,但目前半導(dǎo)體庫(kù)存調(diào)整,成熟制程的產(chǎn)能利用率下滑明顯,廠商營(yíng)收和獲利將被影響,因此對(duì)相關(guān)個(gè)股持中立的看法。   另有分析認(rèn)為,民進(jìn)黨當(dāng)局大力扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),一方面是希望從打造“護(hù)臺(tái)神山”到打造“護(hù)臺(tái)群山”,同時(shí)也是通過(guò)加大半導(dǎo)體供應(yīng)鏈在美國(guó)心目中的分量,強(qiáng)化臺(tái)灣安全。輿論則擔(dān)憂,臺(tái)灣的產(chǎn)業(yè)高度集中半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),可能會(huì)染上“荷蘭病”,也就是高科技長(zhǎng)期一枝獨(dú)秀,產(chǎn)業(yè)發(fā)展不均,加速M(fèi)型化社會(huì)發(fā)展,進(jìn)一步拉大島內(nèi)貧富差距。 ?
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